Siliphot version 1.0
Calcul du diagramme de bandes d'une photodiode
Calcul du photo-courant
Données par défaut pour le silicium dopé bore ou phosphore :
Gap en eV :
Temperature en K :
Masse effective electron :
Masse effective trou :
Nombre maximum d'itérations pour le calcul :
seuil de convergence :
1e-12
Pas de discretisation en micron :
0.1
Section de la jonction en m2 :
1e-8
Convention :
PN
NP
Donneur couche 1 :
Donneur couche 2 :
Donneur couche 3 :
Donneur couche 4 :
Donneur couche 5 :
Concentration en cm-3 :
0
0
0
1e18
1e18
Energie d'ionisation en eV :
Durée de vie des électrons SRH:
5e-6
5e-6
5e-6
5e-6
5e-6
Energie des centres SRH en eV (ref : gap/2):
Coefficient de dégénérescence du niveau :
Mobilité des électrons en cm2 / (V . s) :
Nombres de mailles :
Accepteur couche 1 :
Accepteur couche 2 :
Accepteur couche 3 :
Accepteur couche 4 :
Accepteur couche 5 :
Concentration en cm-3
1e18
1e18
0
0
0
Energie d'ionisation en eV :
Durée de vie des trous SRH:
5e-6
5e-6
5e-6
5e-6
5e-6
Coefficient de dégénérescence du niveau
Mobilité des trous en cm2 / (V . s) :
Min :
Max :
Incrément de tension :
Valeur de la tension pour le calcul suivant : 0.1 V
Retour au pas précédent
abscisse
ordonnee 00
ordonnee 01
ordonnee 02
ordonnee 03
ordonnee 04
ordonnee 05
ordonnee 06
ordonnee 07
ordonnee 08
ordonnee 09
ordonnee 10
ordonnee 11
ordonnee 12
ordonnee 13
ordonnee 14
ordonnee 15
ordonnee 16
ordonnee 17
ordonnee 18
ordonnee 19