Silidop version 1.0
Calcul du niveau de Fermi et des densités d'électrons et de trous
dans un matériau semiconducteur homogène - Prise en compte des centres profonds
Données par défaut pour le silicium dopé bore ou phosphore :
Gap en eV :
Masse effective electron :
Masse effective trou :
Nombre maximum d'itérations pour le calcul :
seuil de convergence :
1e-12
Donneur 1 :
Donneur 2 :
Donneur 3 :
Donneur 4 :
Donneur 5 :
Concentration en cm-3
1e18
0
0
0
0
Energie d'ionisation en eV :
Coefficient de dégénérescence du niveau
Accepteur 1 :
Accepteur 2 :
Accepteur 3 :
Accepteur 4 :
Accepteur 5 :
Concentration en cm-3
1e16
0
0
0
0
Energie d'ionisation en eV :
Coefficient de dégénérescence du niveau
abscisse
ordonnee 00
ordonnee 01
ordonnee 02
ordonnee 03
ordonnee 04
ordonnee 05
ordonnee 06
ordonnee 07
ordonnee 08
ordonnee 09
ordonnee 10
ordonnee 11
ordonnee 12
ordonnee 13
ordonnee 14
ordonnee 15
ordonnee 16
ordonnee 17
ordonnee 18
ordonnee 19